WM03N01H Todos los transistores

 

WM03N01H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM03N01H
   Código: KN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT723
     - Selección de transistores por parámetros

 

WM03N01H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  way-on
 wm03n01h.pdf pdf_icon

WM03N01H

WM03N01H N-Channel Enhancement MOSFET Features D Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.1A DS DR

 7.1. Size:2401K  way-on
 wm03n01g.pdf pdf_icon

WM03N01H

Document: W0803083, Rev: D WM03N01G 1 N-Channel Trench MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 7.2. Size:351K  way-on
 wm03n01l.pdf pdf_icon

WM03N01H

Document: W0803102, Rev: C WM03N01L N-Channel MOSFET Features V = 30V, I = 0.1A DS DR

 8.1. Size:466K  way-on
 wm03n06m.pdf pdf_icon

WM03N01H

WM03N06M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 30V, I = 0.6A DS DR

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History: 2SK2202 | 2SJ245S | IRFU9N20D | MSQ4N60 | SSP7N60A

 

 
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