WM03P41M Todos los transistores

 

WM03P41M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM03P41M
   Código: 3407.'
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

WM03P41M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:561K  way-on
 wm03p41m.pdf pdf_icon

WM03P41M

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

 0.1. Size:538K  way-on
 wm03p41m2.pdf pdf_icon

WM03P41M

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS DR

 8.1. Size:538K  way-on
 wm03p42m2.pdf pdf_icon

WM03P41M

WM03P42M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30V, I = -4.2A DS DR

 8.2. Size:539K  way-on
 wm03p42m.pdf pdf_icon

WM03P41M

WM03P42M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.2A DS DR

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History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E

 

 
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