WM03P41M2 Todos los transistores

 

WM03P41M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM03P41M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 61 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT23

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WM03P41M2 datasheet

 ..1. Size:538K  way-on
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WM03P41M2

WM03P41M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS D R

 6.1. Size:561K  way-on
 wm03p41m.pdf pdf_icon

WM03P41M2

WM03P41M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.1A DS D R

 8.1. Size:538K  way-on
 wm03p42m2.pdf pdf_icon

WM03P41M2

WM03P42M2 P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30V, I = -4.2A DS D R

 8.2. Size:539K  way-on
 wm03p42m.pdf pdf_icon

WM03P41M2

WM03P42M P-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = -30 V, I = -4.2A DS D R

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History: AOB442

 

 

 

 

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