WM05N02M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM05N02M
Código: SS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 1.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de WM05N02M MOSFET
WM05N02M Datasheet (PDF)
wm05n02m.pdf
WM05N02M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.2A DS DR
wm05n02g.pdf
WM05N02G N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.22A DS DR
wm05n03m.pdf
WM05N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 50V, I = 0.3A DS DR
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History: SI2319 | AP13N50R-HF | SSS4N80A | SP2700 | FQP17P06 | IPW60R180C7 | FDMC7678
History: SI2319 | AP13N50R-HF | SSS4N80A | SP2700 | FQP17P06 | IPW60R180C7 | FDMC7678
Liste
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