WM06N03FB Todos los transistores

 

WM06N03FB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM06N03FB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3L
 

 Búsqueda de reemplazo de WM06N03FB MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WM06N03FB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  way-on
 wm06n03fb.pdf pdf_icon

WM06N03FB

WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS DDR

 6.1. Size:809K  way-on
 wm06n03fe.pdf pdf_icon

WM06N03FB

WM06N03FE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A GDS DR

 7.1. Size:882K  way-on
 wm06n03ge.pdf pdf_icon

WM06N03FB

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.2. Size:889K  way-on
 wm06n03le.pdf pdf_icon

WM06N03FB

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... WM05N03M , WM05P01G , WM05P01M , WM05P02F , WM05P02G , WM05P02M , WM05P20M , WM06DN03DE , IRF9640 , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M , WM06N30M , WM06N30MS , WM06P17MR .

History: STP15NM65N | DTM4415 | STF9NK60ZD | SD211DE

 

 
Back to Top

 


 
.