WM06N03FB Todos los transistores

 

WM06N03FB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM06N03FB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN1006-3L
 

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WM06N03FB Datasheet (PDF)

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WM06N03FB

WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS DDR

 6.1. Size:809K  way-on
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WM06N03FB

WM06N03FE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A GDS DR

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WM06N03FB

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 7.2. Size:889K  way-on
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WM06N03FB

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

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History: SIR422DP-T1-GE3 | SJMN380R80ZB

 

 
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