WM06N03FB Todos los transistores

 

WM06N03FB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WM06N03FB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: DFN1006-3

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WM06N03FB datasheet

 ..1. Size:462K  way-on
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WM06N03FB

WM06N03FB N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs G V = 60V, I = 0.34A DS D D R

 6.1. Size:809K  way-on
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WM06N03FB

WM06N03FE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A G DS D R

 7.1. Size:882K  way-on
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WM06N03FB

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R

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WM06N03FB

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R

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History: AP70SL1K4BJB | CS10N80P | BSZ440N10NS3G

 

 

 

 

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