WM06N30M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WM06N30M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: SOT23
Búsqueda de reemplazo de WM06N30M MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
WM06N30M datasheet
wm06n30m.pdf
WM06N30M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 3A DS D R
wm06n30ms.pdf
WM06N30MS N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 3A DS D R
wm06n03ge.pdf
WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R
wm06n03le.pdf
WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS D R
Otros transistores... WM05P20M , WM06DN03DE , WM06N03FB , WM06N03FE , WM06N03GE , WM06N03HE , WM06N03LE , WM06N03M , 60N06 , WM06N30MS , WM06P17MR , WM10N02G , WM10N02M , WM10N20M , WM10N33M , WM10N35M2 , WM10N35M3M .
History: BUK555-200B
History: BUK555-200B
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061