WM06N30M Todos los transistores

 

WM06N30M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WM06N30M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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WM06N30M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:854K  way-on
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WM06N30M

WM06N30M N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 3A DS DR

 0.1. Size:461K  way-on
 wm06n30ms.pdf pdf_icon

WM06N30M

WM06N30MS N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 3A DS DR

 9.1. Size:882K  way-on
 wm06n03ge.pdf pdf_icon

WM06N30M

WM06N03GE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

 9.2. Size:889K  way-on
 wm06n03le.pdf pdf_icon

WM06N30M

WM06N03LE N-Channel Enhancement MOSFET Features Way-on Small Signal MOSFETs V = 60V, I = 0.34A DS DR

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History: TSA20N50M | IRF8736PBF | NTB25P06T4G | IRF7905 | MI4800 | IPP076N12N3 | WML07N65C2

 

 
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