FDP8443F085 Todos los transistores

 

FDP8443F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDP8443F085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Qgⓘ - Carga de la puerta: 142 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FDP8443F085 Datasheet (PDF)

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FDP8443F085

August 2007FDP8443tmN-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 80A, 3.5m ApplicationsFeatures Typ rDS(on) = 2.7m at VGS = 10V, ID = 80A Automotive Engine Control Typ Qg(10) = 142nC at VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Steering UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Integrated Starter / A

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FDP8443F085

March 2009FDP8443_F085N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 80A, 3.5m ApplicationsFeatures Typ rDS(on) = 2.7m at VGS = 10V, ID = 80A Automotive Engine Control Typ Qg(10) = 142nC at VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Steering UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Integrated Starter / A

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FDP8443F085

isc N-Channel MOSFET Transistor FDP8443FEATURESWith TO-220 packagingDrain Source Voltage-: V 40VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.5m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

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History: BR75N75

 

 
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