FDP8443F085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDP8443F085
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 188 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Qgⓘ - Carga de la puerta: 142 nC
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDP8443F085
FDP8443F085 Datasheet (PDF)
fdp8443.pdf
August 2007FDP8443tmN-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 80A, 3.5m ApplicationsFeatures Typ rDS(on) = 2.7m at VGS = 10V, ID = 80A Automotive Engine Control Typ Qg(10) = 142nC at VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Steering UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Integrated Starter / A
fdp8443 f085.pdf
March 2009FDP8443_F085N-Channel PowerTrench MOSFET 40V, 80A, 3.5m ApplicationsFeatures Typ rDS(on) = 2.7m at VGS = 10V, ID = 80A Automotive Engine Control Typ Qg(10) = 142nC at VGS = 10V Powertrain Management Low Miller Charge Solenoid and Motor Drivers Low Qrr Body Diode Electronic Steering UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) Integrated Starter / A
fdp8443.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FDP8443FEATURESWith TO-220 packagingDrain Source Voltage-: V 40VDSSStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 3.5m@V =10VGS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)
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Liste
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