WMB129N10T2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WMB129N10T2
   Código: B129N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 127.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 129 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 52 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 920 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5060-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WMB129N10T2

WMB129N10T2 Datasheet (PDF)

..1. Size:536K way-on
wmb129n10t2.pdf

WMB129N10T2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDWMB129N10T2 uses advanced power trench technology that has DDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = 100 V, I = 129ASilicon Limited DS DR

9.1. Size:649K way-on
wmb128n10t2.pdf

WMB128N10T2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDWMB128N10T2 uses advanced power trench technology that has DDDD Dbeen especially tailored to minimize the on-state resistance and Gyet maintain superior switching performance. sssssGsFeatures PDFN5060-8L V = 100 V, I = 128A DS DR

9.2. Size:620K way-on
wmb120p06ts.pdf

WMB120P06TS 60V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionD DDDDDD DWMB120P06TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and GsssssGyet maintain superior switching performance. sFeatures PDFN5060-8L V = -60V, I = -120A DS DR

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Liste

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