STK400 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK400
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.3 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17.5 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm
Encapsulados: SOT89
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STK400 datasheet
stk400.pdf
Gre r r P Pr Pr Pro STK400 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). RDS(ON) (m ) Max VDSS ID Rugged and reliable. 390 @ VGS=10V Suface Mount Package. 40V 1.3A 550 @ VGS=4.5V ESD Protected. D D G S D SOT-89 G S (TA=25 C unless otherwise noted)
Otros transistores... STM101N , FDP8870F085 , STK900 , FDP8874 , STK801 , FDP8876 , STK600 , FDP8880 , IRFZ24N , FDP8896 , STK103 , FDP8N50NZ , FDPF10N50FT , FDPF10N50UT , FDPF10N60NZ , STM4472 , FDPF10N60ZUT .
History: STM4884
History: STM4884
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Liste
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