WML030N06HG4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WML030N06HG4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 35.7 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 78 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 68 nC
   Tiempo de subida (tr): 17.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1053 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WML030N06HG4

WML030N06HG4 Datasheet (PDF)

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wml030n06hg4.pdf

WML030N06HG4 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DescriptionWML030N06HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device GDSis well suited for high efficiency fast switching applications. TO-220FFeatures V = 60V, I = 78A

9.1. Size:669K way-on
wml03n80m3 wmn03n80m3 wmm03n80m3 wmo03n80m3 wmp03n80m3 wmk03n80m3.pdf

WML03N80M3, W 80M3, WM M3 WMN03N8 MM03N80MWMO0 80M3, WM M3 03N80M3, WMP03N8 MK03N80M 800 Junction ET0V 3.0 Super J n Power MOSFEDescripptionWMOSTM M3 is Wayo neration 800M ons 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D GG G Tand low ga charge perf

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Liste

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