WML06N80M3 Todos los transistores

 

WML06N80M3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WML06N80M3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO220F

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WML06N80M3 datasheet

 ..1. Size:673K  way-on
 wml06n80m3 wmn06n80m3 wmm06n80m3 wmo06n80m3 wmp06n80m3 wmk06n80m3.pdf pdf_icon

WML06N80M3

WML06N80M3, W 80M3, WM M3 WMN06N8 MM06N80M WMO0 80M3, WM M3 06N80M3, WMP06N8 MK06N80M 800 Junction ET 0V 1.8 Super J n Power MOSFE Descrip ption WMOSTM M3 is Wayo neration 800 M on s 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance D echnology fo y low on-re S S G D D G G G T and low ga charge perf

 9.1. Size:1066K  way-on
 wml060n10hgs.pdf pdf_icon

WML06N80M3

WML060N10HGS 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML060N10HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device GDS is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-220F Features V = 100V, I = 65A DS

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History: WMP06N80M3 | WSD3810DN | BRD630 | WSE3088 | WMM07N100C2 | BFC60

 

 

 

 

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