STG2454 Todos los transistores

 

STG2454 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STG2454

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 24 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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STG2454 datasheet

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STG2454

Gr P Pr P P STG2454 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 17 @ VGS=4.0V Suface Mount Package. 24V 7A 29 @ VGS=2.5V ESD Protected. D1 D2 TSSOP 1 8 D1/D2 D1/D2 2 7 S 1 S 2 G 1 G 2 3 6 S 1 S 2

Otros transistores... STG8205 , FDPF13N50FT , FDPF14N30 , FDPF15N65 , FDPF16N50 , FDPF16N50T , FDPF16N50UT , FDPF17N60NT , 60N06 , FDPF18N20FT , STF8810 , FDPF18N50 , FDPF18N50T , FDPF190N15A , FDPF20N50 , FDPF20N50FT , FDPF20N50T .

History: DMT3009LFVW | FQB8P10

 

 

 

 

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