WMK16N65SR Todos los transistores

 

WMK16N65SR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMK16N65SR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm

Encapsulados: TO220

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WMK16N65SR datasheet

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 wml16n65sr wmk16n65sr wmm16n65sr wmn16n65sr wmp16n65sr wmo16n65sr.pdf pdf_icon

WMK16N65SR

WML16N65SR, W 65SR, WM SR WMK16N6 MM16N65S WMN16N65SR, WMP16N6 MO16N65S 65SR, WM SR 650V 0.31 S unction P MOSFET 0 Super Ju Power M T Descrip ption WMOSTM SR is Wa new generation super ayon s w junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re D S D G G G S D G T and low ga charge perfo

 8.1. Size:664K  way-on
 wml16n70sr wmk16n70sr wmm16n70sr wmn16n70sr wmp16n70sr wmo16n70sr.pdf pdf_icon

WMK16N65SR

WML16N70SR, W 70SR, WM SR WMK16N7 MM16N70S WMN16N70SR, WMP16N7 MO16N70S 70SR, WM SR 700V 0.31 S unction P MOSFET 0 Super Ju Power M T Descrip ption WMOSTM SR is Wa new generation super ayon s w junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re D S D G G G S D G T and low ga charge perfo

 8.2. Size:643K  way-on
 wmk16n10t1.pdf pdf_icon

WMK16N65SR

WMK16N10T1 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK16N10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. Features S D G V =100V, I = 15.8A DS D TO-220 R

 9.1. Size:589K  way-on
 wmk161n15t2.pdf pdf_icon

WMK16N65SR

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