WMP18N65EM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMP18N65EM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 26 nC
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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WMP18N65EM Datasheet (PDF)
wml18n65em wmk18n65em wmm18n65em wmn18n65em wmp18n65em wmo18n65em.pdf
WML18 WMK18N68N65EM, W 65EM, WMM18N65EM WMN18 WMP18N68N65EM, W 65EM, WMO18N65EM 650V Super Ju MOSFETV 0.24 S unction Power M TDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is
wml18n70em wmk18n70em wmm18n70em wmn18n70em wmp18n70em wmo18n70em.pdf
WML18 WMK18N78N70EM, W 70EM, WMM18N70EM WMN18 WMP18N78N70EM, W 70EM, WMO18N70EM 700V Super Ju MOSFETV 0.24 S unction Power M TDescripptionWMOSTM EM is Wayons 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-reS D D G GG S D G Tand low ga ce. WMOSTM EM is
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History: CS7N70U
