WML30N65EM Todos los transistores

 

WML30N65EM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WML30N65EM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de WML30N65EM MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WML30N65EM datasheet

 ..1. Size:656K  way-on
 wml30n65em wmk30n65em wmn30n65em wmm30n65em wmj30n65em.pdf pdf_icon

WML30N65EM

WML30N6 MK30N65EM W 65EM, WM WMN30 WMM30N6 MJ30N65EM 0N65EM, W 65EM, WM 650V 0.135 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is ate charge perf

 8.1. Size:663K  way-on
 wml30n80m3 wmk30n80m3 wmn30n80m3 wmm30n80m3 wmj30n80m3.pdf pdf_icon

WML30N65EM

WML30N8 MK30N80M 80M3, WM M3 WMN3 MJ30N80M 30N80M3, WMM30N80M3, WM M3 800V 0.165 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM M3 is Wayo neration 800 M on s 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga charge performanc WMOSTM M3

Otros transistores... WMN28N65C4 , WMM28N65C4 , WMJ28N65C4 , WML28N65F2 , WMK28N65F2 , WMN28N65F2 , WMM28N65F2 , WMJ28N65F2 , IRF630 , WMK30N65EM , WMN30N65EM , WMM30N65EM , WMJ30N65EM , WML30N80M3 , WMK30N80M3 , WMN30N80M3 , WMM30N80M3 .

History: VS4N65CD | 2N4003K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.