WMK30N80M3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WMK30N80M3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 277 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.195 Ohm
Encapsulados: TO220
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WMK30N80M3 datasheet
wml30n80m3 wmk30n80m3 wmn30n80m3 wmm30n80m3 wmj30n80m3.pdf
WML30N8 MK30N80M 80M3, WM M3 WMN3 MJ30N80M 30N80M3, WMM30N80M3, WM M3 800V 0.165 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM M3 is Wayo neration 800 M on s 3rd gen 0V super junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga charge performanc WMOSTM M3
wml30n65em wmk30n65em wmn30n65em wmm30n65em wmj30n65em.pdf
WML30N6 MK30N65EM W 65EM, WM WMN30 WMM30N6 MJ30N65EM 0N65EM, W 65EM, WM 650V 0.135 S 0 Super Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM EM is Wayon s 3rd generation super W n junction MOSFET fa that is utilizing charge M amily S balance te or extremely esistance echnology fo y low on-re S D D G G G S D G T and low ga ce. WMOSTM EM is ate charge perf
Otros transistores... WMM28N65F2 , WMJ28N65F2 , WML30N65EM , WMK30N65EM , WMN30N65EM , WMM30N65EM , WMJ30N65EM , WML30N80M3 , IRF9540N , WMN30N80M3 , WMM30N80M3 , WMJ30N80M3 , WML340N20HG2 , WML36N60C4 , WMK36N60C4 , WMN36N60C4 , WMM36N60C4 .
History: SWT69N65K2 | WMK25N65EM
History: SWT69N65K2 | WMK25N65EM
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