STF443 Todos los transistores

 

STF443 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STF443
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11.4 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 174 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDFN2X2
 

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STF443 Datasheet (PDF)

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STF443

GreenProductSTF443aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.47 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.48 @ VGS=-4.0V -20V -4.5A 50 @ VGS=-3.7V ESD Protected.56 @ VGS=-3.1V64 @ VGS=-2.5VD P IN 1DDGG

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STF443

GreenProductSTF445aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.29 @ VGS=-4.5VSuface Mount Package.30 @ VGS=-4.0V -20V -5.6A 32 @ VGS=-3.7V ESD Protected.36 @ VGS=-3.1V43 @ VGS=-2.5VD P IN 1DDGG

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