FDQ7236AS Todos los transistores

 

FDQ7236AS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDQ7236AS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0132 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-14
 

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FDQ7236AS Datasheet (PDF)

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FDQ7236AS

January 2011FDQ7236AS Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench in SO-14 Package General Description Features The FDQ7236AS is designed to replace two single SO- Q2: 14 A, 30V. RDS(on) = 8.7 m @ VGS = 10V 8 MOSFETs in DC to DC power supplies. The high-side switch (Q1) is designed with specific emphasis on RDS(on) = 10.5 m @ VGS = 4.5V reducing switching loss

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FDQ7236AS

May 2008FDQ7238AS Dual Notebook Power Supply N-Channel PowerTrench in SO-14 Package General Description Features The FDQ7238AS is designed to replace two single SO- Q2: 14 A, 30V. RDS(on) = 8.7 m @ VGS = 10V 8 MOSFETs in DC to DC power supplies. The high-side switch (Q1) is designed with specific emphasis on RDS(on) = 10.5 m @ VGS = 4.5V reducing switching losses w

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History: APT10M19BVR

 

 
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