STF2456 Todos los transistores

 

STF2456 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STF2456
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 210 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0185 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDFN2X3
 

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STF2456 Datasheet (PDF)

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STF2456

GreerrPPrPrProdSTF2456aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.18.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.20.0 @ VGS=4.0V24V 7.0A 20.5 @ VGS=3.7V ESD Protected.22.5 @ VGS=3.1V28.0 @ VGS=2.5VG2

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STF2456

GreenProductSTF2458aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.9.5 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.10.2 @ VGS=4.0V 24V 10A 10.4 @ VGS=3.7V ESD Protected.11.5 @ VGS=3.1V14.0 @ VGS=2.5VG2Bottom Drain

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STF2456

GreenProductSTF2459AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.6.2 @ VGS=10VSuface Mount Package.7.5 @ VGS=4.5V ESD Protected.8.0 @ VGS=4.0V 24V 12A8.6 @ VGS=3.7V10.3 @ VGS=3.1V16.3 @ VGS=2.5V

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STF2456

GreenProductSTF2454AaS mHop Microelectronics C orp.Ver 3.2Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.14.0 @ VGS=4.5VSuface Mount Package.14.3 @ VGS=4.0V24V 8.6A 14.5 @ VGS=3.7V ESD Protected.16.5 @ VGS=3.1V20.0 @ VGS=2.5VBottom Drain Co

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History: FDPF18N50

 

 
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