WMQ40N03T1 Todos los transistores

 

WMQ40N03T1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WMQ40N03T1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: PDFN3030-8L

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WMQ40N03T1 datasheet

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WMQ40N03T1

WMQ40N03T1 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D D D WMQ40N03T1 uses advanced power trench technology that has D D D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet S G S maintain superior switching performance. S S S G S Features PDFN3030-8L V = 30V, I = 40A DS D R

 9.1. Size:467K  way-on
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WMQ40N03T1

WMQ40DN03T1 30V Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D2 D1 D2 D1 D1 D2 WMQ40DN03T1 uses advanced power trench technology that D1 D2 has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S1 G2 G1 S2 S2 G1 Features G2 S1 V = 30V, I = 40A DS D PDFN3030-8L R

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History: BRFL13N50 | BRFL4N65S | FQP50N06 | IRFU3607PBF | SML30L76

 

 

 

 

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