SL12N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL12N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Encapsulados: TO252
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SL12N10 datasheet
sl12n10.pdf
SL12N10 100V/12A N-Channel MOSFET Features Super high density cell design Product Summary for extremely low RDS(ON) VDS RDS(ON) MAX ID MAX Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 160m @10V D2 S1 100V 12A D1 180m @4.5V Application Power Management in Note book DC/DC Converter D Load Switch LCD Display inverter D D G S
sl12n100t sl12n100k sl12n100 sl12n100f.pdf
SL12N100 Features Low gate charge Low C (typ 13pF) rss Fast switchin 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product Applications High frequency switching mode power supply Electronic ballast based on half bridge LED power supplies Absolute Ratings (Tc=25 ) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage V 1000 V DSS 12 A I T
Otros transistores... SL05N06Z , SL05N10A , SL1002B , SL100N03R , SL10N06A , SL10N10A , SL10P04S , SL120N03R , 5N60 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 .
History: 4N60KG-TF2-T | 2SK2052 | 2SK3574-S | STF7LN80K5
History: 4N60KG-TF2-T | 2SK2052 | 2SK3574-S | STF7LN80K5
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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