SL12N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL12N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SL12N10 MOSFET
SL12N10 Datasheet (PDF)
sl12n10.pdf
SL12N10 100V/12A N-Channel MOSFETFeatures Super high density cell design Product Summaryfor extremely low RDS(ON) VDS RDS(ON) MAX ID MAX Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 160m@10VD2S1100V 12AD1180m@4.5VApplication Power Management in Note book DC/DC Converter D Load Switch LCD Display inverter DDGS
sl12n100t sl12n100k sl12n100 sl12n100f.pdf
SL12N100Features Low gate charge Low C (typ 13pF)rss Fast switchin 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS productApplications High frequency switching mode power supply Electronic ballast based on half bridge LED power suppliesAbsolute Ratings (Tc=25)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage V 1000 VDSS12 AI T
Otros transistores... SL05N06Z , SL05N10A , SL1002B , SL100N03R , SL10N06A , SL10N10A , SL10P04S , SL120N03R , 13N50 , SL12N100 , SL12N100F , SL12N100K , SL12N100T , SL12P03S , SL15N10A , SL160N03R , SL18N20 .
History: 2SJ506S | HM2369 | JCS640SH
History: 2SJ506S | HM2369 | JCS640SH
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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