SL3416 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL3416
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de SL3416 MOSFET
SL3416 Datasheet (PDF)
sl3416.pdf
SL3416 20V/6.5A N-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary High Power and current handing capability VDS RDS(ON) MAX ID MAX Lead free product is acquired 22m@4.5V20V 6.5A Surface mount package 26m@2.5VApplicationD Load Switch PWM Application Power SGDSOT-23-3L top view Schematic diagramAGLV : Device codeAGLVXX : CodeG SMarking and
sl3415.pdf
SL3415P-Channel Power MOSFET General Features VDS = -20V,ID =-4A RDS(ON)
Otros transistores... SL25N10 , SL2P03F , SL2P10A , SL30N02D , SL30N06D , SL3134K , SL3139K , SL3139T , AO4468 , SL4041 , SL40P05Y , SL4184 , SL4406 , SL4407A , SL4409N , SL4410 , SL4421 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent

