FDS4141 Todos los transistores

 

FDS4141 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDS4141

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: SO-8

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FDS4141 datasheet

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FDS4141

May 2009 FDS4141_F085 P-Channel PowerTrench MOSFET -40V, -10.8A, 19.0m Applications Features Control switch in synchronous & non-synchronous buck Typ rDS(on) = 10.5m at VGS = -10V, ID = -10.5A Load switch Typ rDS(on) = 14.8m at VGS = -4.5V, ID = -8.4A Inverter Typ Qg(TOT) = 35nC at VGS = -10V High performance trench technology for extremely low rDS(on) RoHS

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FDS4141

November 2007 FDS4141 P-Channel PowerTrench MOSFET -40V, -10.8A, 13.0m Features General Description Max rDS(on) = 13.0m at VGS = -10V, ID = -10.5A This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor s proprietary PowerTrench technology to Max rDS(on) = 19.0m at VGS = -4.5V, ID = -8.4A deliver low rDS(on) and optimized BVDSS capability to offer Hi

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