SL5N100F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL5N100F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.2 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SL5N100F datasheet
sl5n100p sl5n100f sl5n100 sl5n100k sl5n100d.pdf
SL5N100 N-channel 1000V 3-5 5A General features Type VDSS(@Tjmax) ID RDS(on) SL5N100P 1000 V
Otros transistores... SL4N150P , SL4N150T , SL50N02D , SL50N06D , SL50N06I , SL50P06D , SL5N100 , SL5N100D , 8205A , SL5N100K , SL5N100P , SL5N50D , SL607B , SL6244 , SL6800C , SL80N03 , SL8820 .
History: S60N06M
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