SL9926A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL9926A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de SL9926A MOSFET
SL9926A Datasheet (PDF)
sl9926a.pdf

SL9926A 20V/6A Dual N-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Trench Power LV MOSFET technologyVDS RDS(ON) MAX ID MAX High Power and current handing capability30m@4.5VD220V S1 6AD145m@2.5VApplication PWM applicationD1 Load SwitchD1D2D2D1 D1 D2 D2S19926A : Device codeG1XXXXX : CodeS29926AG2XXXXXSOP-8 top view Schematic diagram
Otros transistores... SL8N100F , SL8N100H , SL8N100K , SL8N100T , SL90N03R , SL90N20P , SL90P03G , SL9435A , IRFB3607 , SL9945 , SL9968 , SL9N150T , SLP170C04D , SLP240C03D , SGB080N055 , SGB100N025 , SGB100N042 .
History: NCEP2390D | 2SK767 | MMFTN123 | SFW043N150C3 | IPD640N06L | WMO13N50C4
History: NCEP2390D | 2SK767 | MMFTN123 | SFW043N150C3 | IPD640N06L | WMO13N50C4



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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