SL9926A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL9926A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de SL9926A MOSFET
SL9926A Datasheet (PDF)
sl9926a.pdf

SL9926A 20V/6A Dual N-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Trench Power LV MOSFET technologyVDS RDS(ON) MAX ID MAX High Power and current handing capability30m@4.5VD220V S1 6AD145m@2.5VApplication PWM applicationD1 Load SwitchD1D2D2D1 D1 D2 D2S19926A : Device codeG1XXXXX : CodeS29926AG2XXXXXSOP-8 top view Schematic diagram
Otros transistores... SL8N100F , SL8N100H , SL8N100K , SL8N100T , SL90N03R , SL90N20P , SL90P03G , SL9435A , IRFB3607 , SL9945 , SL9968 , SL9N150T , SLP170C04D , SLP240C03D , SGB080N055 , SGB100N025 , SGB100N042 .
History: VBA2625 | AONS66817 | VEC2315 | STW24N60M2 | TPNTA4151PT1G
History: VBA2625 | AONS66817 | VEC2315 | STW24N60M2 | TPNTA4151PT1G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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