SL9945 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SL9945
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.089 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de SL9945 MOSFET
SL9945 Datasheet (PDF)
sl9945.pdf

SL994560V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 89 @ VGS = 10V 3.6converters and power management in portable and 6
Otros transistores... SL8N100H , SL8N100K , SL8N100T , SL90N03R , SL90N20P , SL90P03G , SL9435A , SL9926A , TK10A60D , SL9968 , SL9N150T , SLP170C04D , SLP240C03D , SGB080N055 , SGB100N025 , SGB100N042 , SGL100N025 .
History: IRF8788PBF | SL120N03R | WMM18N50C4
History: IRF8788PBF | SL120N03R | WMM18N50C4



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031