SL9945 Todos los transistores

 

SL9945 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL9945
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.089 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de SL9945 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SL9945 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:877K  slkor
sl9945.pdf pdf_icon

SL9945

SL994560V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel 60-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat VDS (V) rDS(on) m()ID (A)dissipation. Typical applications are DC-DC 89 @ VGS = 10V 3.6converters and power management in portable and 6

Otros transistores... SL8N100H , SL8N100K , SL8N100T , SL90N03R , SL90N20P , SL90P03G , SL9435A , SL9926A , TK10A60D , SL9968 , SL9N150T , SLP170C04D , SLP240C03D , SGB080N055 , SGB100N025 , SGB100N042 , SGL100N025 .

History: IRF8788PBF | SL120N03R | WMM18N50C4

 

 
Back to Top

 


 
.