SSF60R075SFD2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSF60R075SFD2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 78 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSF60R075SFD2

SSF60R075SFD2 Datasheet (PDF)

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SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor600V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySS*60R075SFD2Rev. 1.1Oct. 2022www.supersemi.com.cnSSF60R075SFD2/SSP60R075SFD2600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Mult

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SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor600V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySS*60R099SFDRev. 1.2May. 2022www.supersemi.com.cnSSF60R099SFD/SSP60R099SFD/SSW60R099SFD600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family tha

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SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor600V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*60R099S2ERev. 1.2Nov. 2022www.supersemi.com.cnSSF60R099S2E/SSP60R099S2E600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an adva

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: