STB440S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STB440S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 33.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 233 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STB440S

STB440S Datasheet (PDF)

..1. Size:258K samhop
stb440s stp440s.pdf

GreenProductSTB/P440SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDHigh power and current handling capability.8 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.40V 65A11.5 @ VGS=4.5VS TB S E R IE S S TP S E R IE STO-263

9.1. Size:189K samhop
stb4410 stp4410.pdf

STB4410GreenProductSTP4410aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) TypHigh power and current handling capability.100V 75A 7.0 @ VGS=10VTO-220 & TO-263 package.DGSTB SERIESSTP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-

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Liste

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