SSL60R190SFD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSL60R190SFD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
Encapsulados: TOLL
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SSL60R190SFD datasheet
ssl60r190sfd.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-Recovery SSL60R190SFD Rev. 1.0 Dec. 2023 www.supersemi.com.cn SSL60R190SFD 600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- With Fast-Recovery Features Description Multi-Epi process SJ-FET SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET famil
ssl60r099sfd.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-Recovery SSL60R099SFD Rev. 1.0 May. 2023 www.supersemi.com.cn SSL60R099SFD 600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- With Fast-Recovery Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ
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History: NTMFS5C442NT3G
History: NTMFS5C442NT3G
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