SSL60R190SFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSL60R190SFD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
Paquete / Cubierta: TOLL
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSL60R190SFD
SSL60R190SFD Datasheet (PDF)
ssl60r190sfd.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor600V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySSL60R190SFDRev. 1.0Dec. 2023www.supersemi.com.cnSSL60R190SFD600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryFeaturesDescription Multi-Epi process SJ-FETSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET famil
ssl60r099sfd.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor600V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySSL60R099SFDRev. 1.0May. 2023www.supersemi.com.cnSSL60R099SFD600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ
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History: GSM6561
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