SSL60R190SFD Todos los transistores

 

SSL60R190SFD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSL60R190SFD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: TOLL
     - Selección de transistores por parámetros

 

SSL60R190SFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1048K  cn super semi
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SSL60R190SFD

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor600V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySSL60R190SFDRev. 1.0Dec. 2023www.supersemi.com.cnSSL60R190SFD600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryFeaturesDescription Multi-Epi process SJ-FETSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET famil

 8.1. Size:795K  cn super semi
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SSL60R190SFD

SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor600V Super Junction Power MOSFET Gen- With Fast-RecoverySSL60R099SFDRev. 1.0May. 2023www.supersemi.com.cnSSL60R099SFD600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-With Fast-RecoveryDescription FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ

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History: HAT3008R | FTK2N60I | AP9402AGYT-HF | 2SK2314 | SSM6N29TU | FQA6N90CF109 | BMS4007

 

 
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