SSL65R070S2E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSL65R070S2E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 236 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: TOLL
Búsqueda de reemplazo de SSL65R070S2E MOSFET
SSL65R070S2E Datasheet (PDF)
ssl65r070s2e.pdf
SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor650V Super Junction Power MOSFET Gen-SSL65R070S2ERev. 1.0Dec. 2023www.supersemi.com.cnSSL65R070S2E650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an advanced charge b
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History: SSP20N60S | SSN65R065SFD3 | TSM4NB60CI | IPB038N12N3G
History: SSP20N60S | SSN65R065SFD3 | TSM4NB60CI | IPB038N12N3G
Liste
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