SSP60R280SFD MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SSP60R280SFD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSP60R280SFD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO220

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SSP60R280SFD datasheet

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SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 600V Super Junction Power MOSFET Gen- SS*60R260S2 Rev. 1.4 Oct. 2022 www.supersemi.com.cn SSF60R260S2/SSP60R260S2 600V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an advance

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