SSU70R600S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSU70R600S2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSU70R600S2

SSU70R600S2 Datasheet (PDF)

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SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor700V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*70R600S2Rev. 1.2Jun. 2023www.supersemi.com.cnSST70R600S2/SSU70R600S2700V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis utilizing an advance

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SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor700V Super Junction Power MOSFET Gen-SS*70R1K2S2ERev. 1.1Sep. 2022www.supersemi.com.cnSSF70R1K2S2E/SST70R1K2S2E/SSU70R1K2S2E700V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen-Description FeaturesSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FETis util

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SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 700V Super Junction Power Transistor SS*70R750S Rev. 1.2 May. 2018 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSF70R750S/SST70R750S/SSU70R750S 700V N-Channel MOSFET Features Description SSMOS-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET

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Liste

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