SWB036R10E8S Todos los transistores

 

SWB036R10E8S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWB036R10E8S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 939 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SWB036R10E8S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:752K  samwin
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SWB036R10E8S

SW036R10E8SN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 100V High ruggednessID : 175A Low RDS(ON) (Typ 3.8m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 85nC)RDS(ON) :3.8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested211 Application:Synchronous Rectification,2233Li Battery Protect Board, Motor Drivers11. Gate 2.

 9.1. Size:725K  samwin
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SWB036R10E8S

SW031R06ET N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.0m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.0m Low Gate Charge (Typ 148nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Electronic Ballast , Motor 3 3 Control , Synchronous Rectificat

 9.2. Size:646K  samwin
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SWB036R10E8S

SW035R08ET N-channel Enhanced mode TO-263 MOSFET Features TO-263 BVDSS : 80V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.3m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.3m Low Gate Charge (Typ 185nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application:Synchronous Rectification, Inverter, 2 3 Li Battery Protect Board 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

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swb038r10es swp038r10es.pdf pdf_icon

SWB036R10E8S

SW038R10ES N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 120A Low RDS(ON) (Typ 3.6m)@VGS=10V RDS(ON) : 3.6m Low Gate Charge (Typ 132nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 2 Application:Synchronous Rectification, 2 3 3 Inverter , Li Battery Protect Bo

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History: PHD9NQ20T | BUK9Y30-75B | FHU2N60A | LNC06R230

 

 
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