SWB16N70K Todos los transistores

 

SWB16N70K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWB16N70K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SWB16N70K Datasheet (PDF)

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SWB16N70K

SW16N70K N-channel Enhancement mode TO-262/TO-263/TO-220F MOSFET Features TO-262 TO-220F BVDSS : 700V TO-263 High ruggedness ID : 16A Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 42nC) RDS(ON) : 0.23 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 Application: DC-DC,LED,PC 2 2 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. S

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SWB16N70K

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS : 650V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V RDS(ON) :0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charge, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

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SWB16N70K

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS : 650V ID : 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23)@VGS=10V RDS(ON) :0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application:LED, Charger, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

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History: APT5010JVRU3 | 5N65G | B640

 

 
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