SWB16N70K Todos los transistores

 

SWB16N70K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWB16N70K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 278 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 57 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: TO263

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SWB16N70K datasheet

 ..1. Size:1075K  samwin
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SWB16N70K

SW16N70K N-channel Enhancement mode TO-262/TO-263/TO-220F MOSFET Features TO-262 TO-220F BVDSS 700V TO-263 High ruggedness ID 16A Low RDS(ON) (Typ 0.23 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 42nC) RDS(ON) 0.23 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 Application DC-DC,LED,PC 2 2 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. S

 8.1. Size:1213K  samwin
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SWB16N70K

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS 650V ID 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23 )@VGS=10V RDS(ON) 0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application LED, Charge, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

 8.2. Size:1143K  samwin
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SWB16N70K

SW16N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-220F TO-263 BVDSS 650V ID 16A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.23 )@VGS=10V RDS(ON) 0.23 Low Gate Charge (Typ 43nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application LED, Charger, PC Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

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History: 2SK1345 | STW45NM60 | SWD088R06VT | SPP80N06S2L-H5 | AP0103GP-HF | 4N65G-TA3-T | SWD110R03VT

 

 

 

 

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