SWD075R06ET MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD075R06ET
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 102 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 333 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0094 Ohm
Encapsulados: TO252
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SWD075R06ET datasheet
swi075r06et swd075r06et.pdf
SW075R06ET N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 60V High ruggedness ID 65A Low RDS(ON) (Typ 7.5m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC) RDS(ON) 7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2. Drai
swd070r08e7t.pdf
SW070R08E7T N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 80V High ruggedness ID 95A Low RDS(ON) (Typ 7.6m )@VGS=10V RDS(ON) 7.6m Low Gate Charge (Typ 101nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application Synchronous Rectification, 3 1 Li Battery Protect Board, Inverter 1. Gate 2.Drain 3.Source General Desc
swd076r68e7t.pdf
SW076R68E7T N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 68V High ruggedness ID 85A Low RDS(ON) (Typ 8m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 80nC) RDS(ON) 8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 Application Synchronous Rectification, 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2.Drain 3.Source 3 General Descrip
swd078r08e8t.pdf
SW078R08E8T N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS 80V High ruggedness ID 95A Low RDS(ON) (Typ 8.6m )@VGS=10V RDS(ON) 8.6m Low Gate Charge (Typ 92nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application Synchronous Rectification, 3 1 Li Battery Protect Board, Inverter 1. Gate 2.Drain 3.Source General Descr
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