SWD3N80D Todos los transistores

 

SWD3N80D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWD3N80D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO252

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SWD3N80D datasheet

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SWD3N80D

SW3N80D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-252 BVDSS 800V TO-220F High ruggedness ID 3A Low RDS(ON) (Typ 3.8 )@VGS=10V RDS(ON) 3.8 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 Application DC-DC LED PC 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source

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SWD3N80D

SW3N90U N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251M/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-251M TO-252 BVDSS 900V ID 3A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8 )@VGS=10V RDS(ON) 4.8 Low Gate Charge (Typ 19nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Adaptor, LED, Industrial Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

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SWD3N80D

SW3N90U N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251M/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-251M TO-252 BVDSS 900V ID 3A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 4.8 )@VGS=10V RDS(ON) 4.8 Low Gate Charge (Typ 19nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Adaptor, LED, Industrial Power 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

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History: WMQ26P02TS | BM3416E | 2SK1297 | SWB065R68E7T | 4N60KL-TF3T-T | 2SK1202 | SW4N60V

 

 

 

 

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