SWD4N60D Todos los transistores

 

SWD4N60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD4N60D
   Código: SW4N60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 141 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 18 nC
   Tiempo de subida (tr): 25 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 70 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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SWD4N60D Datasheet (PDF)

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SW4N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220FT/TO-251/S/M/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 600V TO-251S TO-251M TO-252 TO-220F TO-220FT TO-251 ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9) RDS(ON) : 1.9 @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC) 1 1 1 2 1 1 2 1 2 2 2 3 Improved dv/dt Capability 2 3 3 2 3 3 3 100% Avalanche T

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SW4N60DCN-channel Enhancement mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252 BVDSS : 600VID : 4A High ruggedness RDS(ON) (Typ 2.0)@VGS=10VRDS(ON) : 2.0 Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 121 2 100% Avalanche Tested2 33 Application: LED,Charge11. Gate 2. Drain 3. Source3General DescriptionThis power MOSFET is produce

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SW4N60DA N-channel Enhanced mode TO-252/TO-220F/TO-251S MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-251S BVDSS : 600V ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ3.35)@VGS=10V RDS(ON) : 3.35 Low Gate Charge (Typ 9.6nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

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SW4N60DC N-channel Enhancement mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS : 600V ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0)@VGS=10V RDS(ON) : 2.0 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application: LED,Charger 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descrip

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
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