SWD7N65DA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWD7N65DA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 154.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SWD7N65DA MOSFET
SWD7N65DA Datasheet (PDF)
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SW7N65DA N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-262N/TO-252 MOSFET Features TO-262N TO-251N TO-252 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.4)@VGS=10V RDS(ON) : 1.4 Low Gate Charge (Typ 25nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 1 Application: LED , Charge, PC Power 1. Gate 2. Drai
swf7n65dd swn7n65dd swd7n65dd.pdf

SW7N65DD N-channel Enhanced mode TO-220F /TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 BVDSS : 650V ID : 7A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application: LED, Charge, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. So
swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF /TO-262N/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11122 Low Gate Charge (Typ 30nC) 223333 Improved dv/dt Capability DDFN5*6TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan
sw7n65d swp7n65d swi7n65d swn7n65d swd7n65d swf7n65d swmn7n65d swj7n65d swha7n65d.pdf

SW7N65DN-channel Enhanced mode TO-220/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F/TO-220SF /TO-262N/DFN5*6 MOSFETFeaturesTO-220 TO-251TO-251N TO-252BVDSS : 650V High ruggednessID : 7A Low RDS(ON) (Typ 1.1)@VGS=10V RDS(ON) : 1.11 11122 Low Gate Charge (Typ 30nC) 223333 Improved dv/dt Capability DDFN5*6TO-220F TO-220SF TO-262N 100% Avalan
Otros transistores... SWD6N60D , SWD6N65D , SWD6N65K , SWD6N70DB , SWD6N80DE , SWD70N10V , SWD740D , SWD7N60K2F , IRF730 , SWD7N65DD , SWD7N65J , SWD7N65K , SWD7N65K2 , SWD7N65M , SWD7N70K , SWD80N04V , SWD830D1 .
History: IRFB7730PBF | RD3H200SN | STB24N65M2 | SWH065R03VLT | SRT10N120LD1
History: IRFB7730PBF | RD3H200SN | STB24N65M2 | SWH065R03VLT | SRT10N120LD1



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ | JMPL0648AU | JMPL0648AK | JMPL0648AG | JMPL0625AP | JMPL0622AK | JMSL0302PU | JMSL0302PG2 | JMSL0302DG | JMSL0302BU | JMSL0302AK | JMSL0301TG | JMSL0301AG | JMSH2010PTL
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