STA6620 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STA6620

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: PDIP8

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STA6620 datasheet

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STA6620

S TA6620 S amHop Microelectronics C orp. Nov. 24 2006 Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor F E ATUR E S PR ODUC T S UMMAR Y S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 25 @ VG S = 10V S urface Mount Package. 40V 7A 42 @ VG S = 4.5V E S D Protected. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 P DIP -8 1 2 3 4 1 S 1 G 1 S

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STA6620

S TA6610 S amHop Microelectronics C orp. Nov.24 2006 Dual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor F E ATUR E S PR ODUC T S UMMAR Y S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 23 @ VG S = 10V S urface Mount Package. 30V 7.6A 35 @ VG S = 4.5V E S D Protected. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 P DIP -8 1 1 2 3 4 S 1 G 1

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STA6620

STA6611 SamHop Microelectronics Corp. Nov. 22, 2006 Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor ( N and P Channel) PRODUCT SUMMARY (N-Channel) (P-Channel) PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS(ON) ( m ) Max VDSS ID RDS(ON) ( m ) Max 23 @ VGS = 10V 35 @ VGS = -10V -30V -6.6A 30V 7.6A 30 @ VGS = 4.5V 55 @ VGS = -4.5V D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 P DIP -8 1 1 2 3 4 S 1 G 1 S 2 G 2 ABSOLUTE

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