SWD9N10V1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWD9N10V1
   Código: SW9N10V1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWD9N10V1

SWD9N10V1 Datasheet (PDF)

..1. Size:593K samwin
swd9n10v1.pdf

SW9N10V1 N-channel Enhanced mode TO-252 MOSFET Features TO-252 BVDSS : 100V High ruggedness ID : 9A Low RDS(ON) (Typ 138m)@VGS=4.5V (Typ 115m)@VGS=10V RDS(ON) : 138m@VGS=4.5V Low Gate Charge (Typ 5.6nC) Improved dv/dt Capability 115m@VGS=10V 1 2 100% Avalanche Tested 3 Application:DC-DC ConverterInverter 2 Sync

9.1. Size:1249K samwin
swf9n50d swp9n50d swd9n50d.pdf

SW9N50D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-220 BVDSS : 500V ID : 9A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.68)@VGS=10V RDS(ON) : 0.68 Low Gate Charge (Typ 31nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 1 2 2 2 Application: DC-DCLEDPC 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source

9.2. Size:824K samwin
swp9n25d swd9n25d.pdf

SW9N25D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET BVDSS : 250V Features TO-220 TO-252 ID : 9A High ruggedness RDS(ON) : 0.37 Low RDS(ON) (Typ 0.37)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 20.3nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 3 3 1 Application: LED , DC-DC 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

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Liste

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