SWF10N50K Todos los transistores

 

SWF10N50K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWF10N50K
   Código: SW10N50K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SWF10N50K Datasheet (PDF)

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SWF10N50K

SW10N50K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-247/TO-251N/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-220 TO-247 TO-251N TO-252 BVDSS : 500V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.26)@VGS=10V RDS(ON) : 0.26 Low Gate Charge (Typ 29nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 1 2 2 2 2 2 Application:LED, PC Power, Cha

 8.1. Size:1319K  samwin
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SWF10N50K

SW10N65DN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFETFeaturesTO-262 TO-262NTO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220BVDSS : 650V High ruggednessID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC)RDS(ON) : 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested2 Application: UPS,Inverter, 1 112 2 1 1 1

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SW10N80K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET TO-220F TO-251N TO-252 BVDSS : 800V Features ID : 10A High ruggedness RDS(ON) : 0.58 Low RDS(ON) (Typ 0.58)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 27nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 2 3 3 3 Application:LED,Charger,PC Power 1. Gate 2. Drain

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SWF10N50K

SW10N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-251N /TO-252/ TO-262/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-262 TO-220 TO-252 TO-220SF BVDSS : 650V High ruggedness ID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.36)@VGS=10V RDS(ON) :0.36 Low Gate Charge (Typ29nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 Applicatio

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History: TMA7N65H | STB25NM50N-1 | SIS472ADN | NCEP1520 | IRFR310T | WPM3407

 

 
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