SWF10N60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWF10N60D
   Código: SW10N60D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 122 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWF10N60D

SWF10N60D Datasheet (PDF)

..1. Size:670K samwin
swf10n60d.pdf

SW10N60D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F Features BVDSS : 600V ID : 10A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.9)@VGS=10V RDS(ON) : 0.9 Low Gate Charge (Typ 35nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 3 Application: UPSInverterTV-POWER 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description This power

7.1. Size:1319K samwin
swf10n65d swmn10n65d swy10n65d swp10n65d swu10n65d swj10n65d.pdf

SW10N65DN-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220SF/TO-220FT/TO-220/TO-262/TO-262N MOSFETFeaturesTO-262 TO-262NTO-220F TO-220SF TO-220FT TO-220BVDSS : 650V High ruggednessID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.9)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 35nC)RDS(ON) : 0.9 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested2 Application: UPS,Inverter, 1 112 2 1 1 1

7.2. Size:1328K samwin
swp10n65k swf10n65k swn10n65k swd10n65k swu10n65k swmn10n65k.pdf

SW10N65K N-channel Enhanced mode TO-220/TO-220F/TO-251N /TO-252/ TO-262/TO-220SF MOSFET Features TO-220F TO-251N TO-262 TO-220 TO-252 TO-220SF BVDSS : 650V High ruggedness ID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.36)@VGS=10V RDS(ON) :0.36 Low Gate Charge (Typ29nC) Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 1 2 Applicatio

7.3. Size:728K samwin
sw10n65 swp10n65 swf10n65.pdf

SAMWINSW10N65N-channel MOSFETTO-220F TO-220BVDSS : 650VFeaturesID : 10.0A High ruggednessRDS(ON) : 1.1ohm RDS(ON) (Max 1.1)@VGS=10V Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 1 122 2 100% Avalanche Tested3 31. Gate 2. Drain 3. Source1General Description3This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMWIN.This

7.4. Size:952K samwin
swf10n65k2 swd10n65k2 swb10n65k2.pdf

SW10N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252/TO-263 MOSFET Features TO-220F TO-252 TO-263 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 10A Low RDS(ON) (Typ 0.3)@VGS=10V RDS(ON) : 0.3 Low Gate Charge (Typ 21nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 3 3 3 1 Application: Charge, LED, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Sou

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: