SWF12N60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWF12N60D
Código: SW12N60D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 44.6 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 48 nC
Tiempo de subida (tr): 42 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 157 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWF12N60D
SWF12N60D Datasheet (PDF)
swf12n60d.pdf
SW12N60D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F Features BVDSS : 600V ID : 12A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.7)@VGS=10V RDS(ON) : 0.7 Low Gate Charge (Typ 48nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: UPSInverterPC-POWER 3 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description This power
swf12n65d swu12n65d swp12n65d swb12n65d.pdf
SW12N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220F TO-262 TO-220 TO-263 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 12A Low RDS(ON) (Typ 0.7)@VGS=10V RDS(ON) : 0.7 Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 3 Application:Charger,LED,PC Power 3 3 3 1. Gate 2.
sw12n65d swf12n65d swu12n65d swp12n65d swb12n65d.pdf
SW12N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-262 TO-220F TO-220 TO-263 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 12A Low RDS(ON) (Typ 0.7)@VGS=10V RDS(ON) : 0.7 Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 3 Application:Charge,LED,PC Power 3 3 3 1. Gate 2
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SW12N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220SF/TO-220FT MOSFET TO-220FT TO-220SF Features TO-220F TO-262 BVDSS : 700V ID : 12A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V RDS(ON) : 0.75 Low Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 3 3 3 Application:LED, PC Power, Char
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SW12N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220SF/TO-220FT MOSFET TO-220FT TO-220SF Features TO-220F TO-262 BVDSS : 700V ID : 12A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V RDS(ON) : 0.75 Low Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 3 3 3 3 Application:LED, PC Power,
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