SWF13N60K2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWF13N60K2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.278 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWF13N60K2

SWF13N60K2 Datasheet (PDF)

..1. Size:878K samwin
swf13n60k2 swi13n60k2 swd13n60k2.pdf

SW13N60K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET BVDSS : 600V Features TO-220F TO-251 TO-252 ID : 13A High ruggedness RDS(ON) : 0.24 Low RDS(ON) (Typ 0.24)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application: LED, Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3

6.1. Size:596K samwin
swf13n60d.pdf

SW13N60D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET Features TO-220F BVDSS : 600V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.5)@VGS=10V ID : 13A Low Gate Charge (Typ 54nC) RDS(ON) : 0.5 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 Application: LED, PC Power, Charger 2 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This pow

7.1. Size:818K samwin
swf13n65d.pdf

SW13N65DN-channel Enhanced mode TO-220F MOSFETFeaturesTO-220FBVDSS : 650V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.6)@VGS=10VID : 13A Low Gate Charge (Typ 54nC)RDS(ON) : 0.6 Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 Application: LED, Charger, PC Power2311. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description 3This power MOSFET is produced

7.2. Size:1576K samwin
swf13n65k2 swi13n65k2 swd13n65k2 swp13n65k2 swj13n65k2 swb13n65k2 swha13n65k2 swhc13n65k2.pdf

SW13N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262N/TO-263/ DFN5*6/QFN8*8 MOSFET Features QFN8*8 TO220F TO251 TO252 TO220 TO262N TO263 DFN5*6 BVDSS : 650V High ruggedness 5 ID : 13A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 0.24) 2 7 6 @VGS=10V 3 RDS(ON) : 0.24 1 1 1 1 4 5 1 1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 2 2 2 1 2 3 4 2 2 3

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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