SWF4N70K2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWF4N70K2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 16.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SWF4N70K2 datasheet

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SWF4N70K2

SW4N70K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-252 MOSFET Features BVDSS 700V TO-220F TO-251N TO-252 ID 4 A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.15 )@VGS=10V RDS(ON) 1.15 Low Gate Charge (Typ 7.1nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application LED, Charger, Adaptor 3 3 3 1 1. Gate 2. Drain 3. S

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SWF4N70K2

SW4N70K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-220F TO-251 TO-252 BVDSS 700V High ruggedness ID 4A Low RDS(ON) (Typ 1.0 )@VGS=10V RDS(ON) 1.0 Low Gate Charge (Typ 13nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 Application Charger,LED, Adaptor 3 3 3 1. Gate 2. Drain 3. Source 1 3 G

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SWF4N70K2

SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3 )@VGS=10V RDS(ON) 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

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SWF4N70K2

SW4N70D N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N/TO-252/TO-220F MOSFET Features BVDSS 700V TO-251 TO-251N TO-252 TO-220F ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.3 )@VGS=10V RDS(ON) 2.3 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 Application Charger,LED 1 1 2 2 2 2 3 3 3 3 1 1. Gate 2.

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