SWI13N65K2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWI13N65K2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 143.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm

Encapsulados: TO251

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SWI13N65K2 datasheet

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SWI13N65K2

SW13N65K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252/TO-220/TO-262N/TO-263/ DFN5*6/QFN8*8 MOSFET Features QFN8*8 TO220F TO251 TO252 TO220 TO262N TO263 DFN5*6 BVDSS 650V High ruggedness 5 ID 13A 1 8 Low RDS(ON) (Typ 0.24 ) 2 7 6 @VGS=10V 3 RDS(ON) 0.24 1 1 1 1 4 5 1 1 Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 2 2 2 1 2 3 4 2 2 3

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SWI13N65K2

SW13N60K2 N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-252 MOSFET BVDSS 600V Features TO-220F TO-251 TO-252 ID 13A High ruggedness RDS(ON) 0.24 Low RDS(ON) (Typ 0.24 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 28nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 1 3 3 3 Application LED, Charger, Adaptor 1. Gate 2. Drain 3

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SWI13N65K2

SW130R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/DFN5*6/TO-251 MOSFET Features High ruggedness SOP-8 DFN5*6 TO-251 BVDSS 60V Low RDS(ON) (Typ 14m )@VGS=4.5V (Typ 12m )@VGS=10V 5 ID 58A 6 Low Gate Charge (Typ 55nC) 1 8 7 8 2 7 Improved dv/dt Capability RDS(ON) 14m @ VGS=4.5V 4 6 3 3 100% Avalanche Tested 4 5 2 12m @ VGS=1

Otros transistores... SWI069R06VT, SWI075R06ET, SWI085R06VS, SWI100R10VT, SWI110R06VT, SWI120R45VT, SWI130R06VT, SWI13N60K2, IRF740, SWI160R12VT, SWI19N10, SWI1N55D, SWI1N60, SWI200R10VT, SWI20N20D, SWI230R45VT, SWI2N60DC