SWN6N65K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWN6N65K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de SWN6N65K MOSFET
SWN6N65K Datasheet (PDF)
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SW6N65K N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251/TO-251N/TO-252/TO-262 /TO-220SF MOSFET Features TO251 TO220F TO251N TO252 TO262 TO220SF BVDSS : 650V High ruggedness ID : 6A Low RDS(ON) (Typ 0.8)@VGS=10V RDS(ON) : 0.8 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 2 2 3 3 Applicat
swf6n60d swd6n60d swn6n60d.pdf

SW6N60D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-252/TO-251N MOSFET Features TO-220F TO-252 TO-251N BVDSS : 600V High ruggedness ID : 6A Low RDS(ON) (Typ 1.4)@VGS=10V RDS(ON) :1.4 Low Gate Charge (Typ 23nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 3 3 3 Application: UPS,Inverter,TV-POWER 1. Gate 2. Drain 3. Source
sw6n80d swn6n80d swf6n80d swd6n80d swu6n80d swj6n80d.pdf

SW6N80D N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-220F/TO-252/TO-262/TO-262N MOSFET Features TO-251N TO-220F TO-252 TO-262 BVDSS : 800V TO-262N ID : 6A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0)@VGS=10V RDS(ON) : 2.0 Low Gate Charge (Typ 32nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 1 1 100% Avalanche Tested 2 2 2 2 2 3 3 3 3 3 Application:LED
sw6n70da swn6n70da swsi6n70da swui6n70da swd6n70da swf6n70da swi6n70da swnx6n70da swp6n70da swqi6n70da swmqi6n70da.pdf

SW6N70DAN-channel Enhanced mode TO-251N/S/U/TO-252/TO-220F/TO-251/TO-251NX/TO-220/TO-251Q /TO-251MQ MOSFETTO251N TO251S TO251U TO252 TO220FFeaturesBVDSS : 700Vl High ruggednessID : 6Al Low RDS(ON) (Typ 1.7)1 1 RDS(ON) : 1.71 1 @VGS=10V 2 22 213 3 23 3l Low Gate Charge (Typ 26nC)32l Improved dv/dt Capability TO220 TO251Q TO251NXTO251 TO251MQ l
Otros transistores... SWN4N65K2 , SWN4N70D1 , SWN4N70K2 , SWN4N70L , SWN4N80D , SWN4N80K , SWN5N70K , SWN6N60D , 60N06 , SWN6N70DB , SWN7N65DA , SWN7N65DD , SWN7N65K , SWN7N65K2 , SWN7N65M , SWN8N80K , SWNB4N65DA .
History: SPC18N50G | STE30NK90Z | 2P980A | AM4812 | PHN210T | FQD13N06LTF | STD10PF06-1
History: SPC18N50G | STE30NK90Z | 2P980A | AM4812 | PHN210T | FQD13N06LTF | STD10PF06-1



Liste
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MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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