SWNC4N65DD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWNC4N65DD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 61 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.9 Ohm

Encapsulados: TO251

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SWNC4N65DD datasheet

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SWNC4N65DD

SW4N65DD N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F/TO-220SF /TO-252/TO-220FTN MOSFET Features TO251N TO251N-S2 TO220F TO220SF TO252 TO220FTN BVDSS 650V High ruggedness ID 4A Low RDS(ON) (Typ 2.4 )@VGS=10V RDS(ON) 2.4 Low Gate Charge (Typ 16nC) 1 Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 2 1 1 3 2 100% Avalanche Tested 2

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SWNC4N65DD

SW4N65DC N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N-S2 MOSFET TO-251 TO-251N-S2 BVDSS 650V Features ID 4A High ruggedness RDS(ON) 1.95 Low RDS(ON) (Typ 1.95 )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 3 3 Application Charger,TV-POWER 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gener

 8.1. Size:855K  samwin
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SWNC4N65DD

SW4N70D1 N-channel Enhanced mode TO-251S/TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F MOSFET Features TO-220F TO-251S TO-251N TO-251N-S2 BVDSS 700V ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.1 )@VGS=10V RDS(ON) 2.1 Low Gate Charge (Typ 18nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 1 1 2 2 2 2 Application Adapter,LED,Charger 3 3 3 3 1 1. Gate

Otros transistores... SWN7N65DA, SWN7N65DD, SWN7N65K, SWN7N65K2, SWN7N65M, SWN8N80K, SWNB4N65DA, SWNC4N65DC, 60N06, SWNC4N70D1, SWNX8N65D, SWP020R03VLT, SWP030R04VT, SWP031R06ET, SWP035R10E6S, SWP036R10E8S, SWP038R04VT