SWNC4N70D1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWNC4N70D1
Código: SW4N70D1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 164 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 18 nC
Tiempo de subida (tr): 29 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 72 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SWNC4N70D1
SWNC4N70D1 Datasheet (PDF)
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SW4N70D1N-channel Enhanced mode TO-251S/TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F MOSFETFeatures TO-220FTO-251S TO-251N TO-251N-S2BVDSS : 700VID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.1)@VGS=10VRDS(ON) : 2.1 Low Gate Charge (Typ 18nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested111 1222 2 Application:Adapter,LED,Charger 333 311. Gate
swi4n65dc swnc4n65dc.pdf
SW4N65DC N-channel Enhanced mode TO-251/TO-251N-S2 MOSFET TO-251 TO-251N-S2 BVDSS : 650V Features ID : 4A High ruggedness RDS(ON) : 1.95 Low RDS(ON) (Typ 1.95)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 1 100% Avalanche Tested 2 1 2 3 3 Application: Charger,TV-POWER 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 Gener
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SW4N65DD N-channel Enhanced mode TO-251N/TO-251N-S2/TO-220F/TO-220SF /TO-252/TO-220FTN MOSFET Features TO251N TO251N-S2 TO220F TO220SF TO252 TO220FTN BVDSS : 650V High ruggedness ID : 4A Low RDS(ON) (Typ 2.4)@VGS=10V RDS(ON) : 2.4 Low Gate Charge (Typ 16nC) 1 Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 2 1 1 3 2 100% Avalanche Tested 2
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