SWP075R08E7T Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWP075R08E7T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 246 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: TO220

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SWP075R08E7T datasheet

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SWP075R08E7T

SW075R08E7T N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 80V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 8m )@VGS=10V ID 90A Low Gate Charge (Typ 95nC) RDS(ON) 8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2.Drain 3.Source

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SWP075R08E7T

SW075R06ET N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS 60V High ruggedness ID 100A Low RDS(ON) (Typ 7.5m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC) RDS(ON) 7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter

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SWP075R08E7T

SW075R06ET N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS 60V High ruggedness ID 100A Low RDS(ON) (Typ 7.5m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC) RDS(ON) 7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter

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SWP075R08E7T

SW076R68E7T N-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220 TO-263 BVDSS 68V High ruggedness ID 85A Low RDS(ON) (Typ 7.6m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 70nC) RDS(ON) 7.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter 1 1. Gate 2.Drain 3.S

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