SWP075R08E7T Todos los transistores

 

SWP075R08E7T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWP075R08E7T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 246 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de SWP075R08E7T MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SWP075R08E7T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:821K  samwin
 swp075r08e7t swb075r08e7t.pdf pdf_icon

SWP075R08E7T

SW075R08E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 80V High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 8m)@VGS=10V ID : 90A Low Gate Charge (Typ 95nC)RDS(ON) : 8m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.Source

 6.1. Size:766K  samwin
 swb075r06et swp075r06et.pdf pdf_icon

SWP075R08E7T

SW075R06ET N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 100A Low RDS(ON) (Typ 7.5m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC) RDS(ON) : 7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application:Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter

 6.2. Size:738K  samwin
 sw075r06et swb075r06et swp075r06et.pdf pdf_icon

SWP075R08E7T

SW075R06ET N-channel Enhanced mode TO-263/TO-220 MOSFET Features TO-263 TO-220 BVDSS : 60V High ruggedness ID : 100A Low RDS(ON) (Typ 7.5m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 78nC) RDS(ON) : 7.5m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested 2 1 1 Application:Synchronous Rectification, 2 2 3 3 Li Battery Protect Board, Inverter

 9.1. Size:751K  samwin
 swp076r68e7t swb076r68e7t.pdf pdf_icon

SWP075R08E7T

SW076R68E7TN-channel Enhanced mode TO-220/TO-263 MOSFETFeaturesTO-220 TO-263BVDSS : 68V High ruggednessID : 85A Low RDS(ON) (Typ 7.6m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 70nC)RDS(ON) : 7.6m Improved dv/dt Capability 100% Avalanche Tested21 1 Application:Synchronous Rectification,2 23 3Li Battery Protect Board, Inverter11. Gate 2.Drain 3.S

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SWP068R08ET , SWP068R68E7T , SWP069R06VT , SWP070R08E7T , SWP072R06ET , SWP072R08ET , SWP072R68E7T , SWP072R72E7T , IRF4905 , SWP076R68E7T , SWP078R08E8T , SWP078R08ET , SWP085R06V7T , SWP085R06VT , SWP085R68E7T , SWP086R68E7T , SWP088R06VT .

History: AM1440N | MTP2311N3 | QM3001D | HM8N20I

 

 
Back to Top

 


 
.